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一种金属离子辅助刻蚀多孔硅的制备方法

来源：华佗健康网

（19）中华人民共和国国家知识产权局

（12）发明专利申请

（21）申请号 CN201910804216.6 （22）申请日 2019.08.28 （71）申请人贵州大学

地址 550025 贵州省贵阳市花溪区贵州大学(北区)科技处

（10）申请公布号 CN110528005A

（43）申请公布日 2019.12.03

（72）发明人麦毅;侯高蕾;吴复忠;戴新义;李水娥;谷肄静;陈敬波（74）专利代理机构北京联创佳为专利事务所(普通合伙)

代理人韩炜

（51）Int.CI

权利要求说明书说明书幅图

（）发明名称

一种金属离子辅助刻蚀多孔硅的制备方法

（57）摘要

本发明公开了一种金属离子辅助刻蚀多孔

硅的制备方法。按下述步骤进行：a）硅片的预处理：将硅片依次用硫酸和双氧水的混合液、氢氟酸、乙醇、去离子水超声清洗；b）硅片的刻蚀：将预处理后的硅片用刻蚀液进行加热刻蚀，之后用去离子水超声清洗；所述的刻蚀液是由金属盐、氢氟酸、、去离子水组成的混合溶液；c）硅片的干燥：将刻蚀后的硅片放入鼓风干燥箱中干燥后再放入真空干燥箱中干燥，得到含有纳

米级孔道的多孔硅。本发明的制备方法简单，提供了一种新的金属离子，所制备出的多孔硅具有海绵状结构，孔径较大，多孔分布较均匀。

法律状态

法律状态公告日

2019-12-03 2019-12-03 2019-12-27

法律状态信息

公开公开

实质审查的生效

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公开公开

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权利要求说明书

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说明书

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