晶圆级封装的制作方法[发明专利]

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专利名称：晶圆级封装的制作方法专利类型：发明专利发明人：吴铁将,施信益申请号：CN201610059629.2申请日：20160128公开号：CN1086384A公开日：20170308

摘要：本发明公开了一种晶圆级封装的制作方法。先提供一基板，具有一上表面以及一下表面；在所述上表面形成一第一介电层；在所述第一介电层上形成一重分布层，其中所述包含至少一第二介电层与至少一金属层；在所述重分布层上形成一第一钝化层；在所述第一钝化层中形成凸块；将一芯片设置在所述重分布层上，其中所述芯片是通过所述凸块电连接所述重分布层中的所述金属层；形成一模塑料，位在所述第一钝化层上并且包围所述芯片；抛光所述基板的所述下表面，直到达到所述基板的一预定剩余厚度；以及在所述基板中形成多个穿板通孔。

申请人：华亚科技股份有限公司

地址：中国桃园市

国籍：TW

代理机构：深圳新创友知识产权代理有限公司

代理人：江耀纯

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