晶圆级封装方法以及封装结构[发明专利]
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专利内容由知识产权出版社提供
专利名称：晶圆级封装方法以及封装结构专利类型：发明专利
发明人：罗海龙,克里夫·德劳利申请号：CN201811026720.X申请日：20180904公开号：CN110875202A公开日：20200310
摘要：一种晶圆级封装方法以及封装结构，晶圆级封装方法包括：提供器件晶圆，形成有多个第一芯片，第一芯片表面形成有第一电极，器件晶圆上形成有露出第一电极的第一介质层；提供多个第二芯片，表面形成有第二电极，第二芯片上形成有露出第二电极的第二介质层；将第二介质层与第一介质层相对设置并键合，在第一电极和第二电极之间形成空腔；在空腔中形成芯片互连结构；在第二芯片以及第二芯片露出的第二介质层、芯片互连结构和器件晶圆上保形覆盖绝缘层；在绝缘层上保形覆盖屏蔽层；在屏蔽层上形成封装层。本发明通过通孔互连结构，简化封装方法、减小封装结构体积，且由于绝缘层和屏蔽层通过保形覆盖的方式形成，因此减小了封装结构的体积和厚度。
申请人：中芯集成电路(宁波)有限公司
地址：315800 浙江省宁波市北仑区小港街道安居路335号3幢、4幢、5幢
国籍：CN
代理机构：上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
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