单晶拉制装置以及单晶拉制方法

（12）发明专利说明

（21）申请号 CN201680053903.3 （22）申请日 2016.08.23 （71）申请人 信越半导体株式会社

地址 日本东京都

（10）申请公布号 CN108026660B

（43）申请公布日 2020.07.24

书

（72）发明人 高野清隆

（74）专利代理机构 北京路浩知识产权代理有限公司

代理人 张晶

（51）Int.CI

权利要求说明书 说明书 幅图

（54）发明名称

单晶拉制装置以及单晶拉制方法

（57）摘要

本发明提供一种单晶拉制装置，其具备：

拉制炉，其配置有收容熔融的单晶材料的坩埚且具有中心轴；以及磁场产生装置，其设置在拉制炉周围且具有超导线圈，磁场产生装置以如下方式产生磁场分布：在将含有超导线圈的线圈轴的水平面内的中心轴上的磁力线方向作为X轴时，X轴上的磁通密度分布为向上凸的分布，在将水平面内的中心轴上的磁通密度作为磁通密度设定值的情况下，X轴上的磁通密度在坩埚壁中为磁通

密度设定值的80％以下，同时在水平面内与X轴正交且通过中心轴的Y轴上的磁通密度分布为向下凸的分布，Y轴上的磁通密度在坩埚壁中为磁通密度设定值的140％以上。由此，能够降低生成的单晶中的氧浓度且能够抑制生成的单晶中的生长条纹。

法律状态

法律状态公告日2018-05-11 2018-05-11 2018-05-11 2018-06-05 2018-06-05 2020-07-24

法律状态信息

公开 公开 公开

实质审查的生效 实质审查的生效 授权

法律状态

公开 公开 公开

实质审查的生效 实质审查的生效 授权

权利要求说明书

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说明书

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